반도체 공정 - 8. 패키징 공정

 

 

 

패키징 공정

 

전공정을 통해 완성된 웨이퍼의 반도체 칩은 낱개로 하나하나 잘라내는데, 이렇게 잘린 칩을 베어칩(bare chip) 또는 다이(die)라고 합니다.

그러나 이 상태의 칩은 외부와 전기신호를 주고받을 수 없으며, 외부 충격에 의해 손상되기 쉬운데요. 반도체 칩, 즉 집적회로(IC)가 기판이나 전자기기에 장착되기 위해선 그에 맞는 포장이 필요합니다.

이와 같이 반도체 칩이 외부와 신호를 주고 받을 수 있도록 길을 만들어주고 다양한 외부환경으로부터 안전하게 보호받는 형태로 만드는 과정을 ‘패키징(Packaging)’이라고 합니다.  

 

패키지 8단계 공정

 

1) Back Grind

FAB작업이 완료된 두꺼운 웨이퍼를 얇은 다이아몬드 휠로 연마해 얇은 반도체가 될 수 있도록 만드는 과정입니다.

 

2) Wafer Saw

다수의 칩으로 되어있는 웨이퍼를 낱개의 칩으로 분리합니다.

 

3) Die Attach

분리한 칩 중에서 양품으로 선별된 개별 칩을 웨이퍼 상에서 떼어내어 외부와 전기적 연결 단자인 Substrate 기판에 접착합니다.

 

4) Wire Bonding

칩의 단자와 Substrate의 단자를 전기적으로 연결해줍니다.

 

5) Mold

습기, 열, 물리적 충격 등으로부터 보호하기 위해 열경화성 수지인 EMC로 기판을 감싸줍니다.

 

6) Marking

레이저를 이용해 제품번호를 각인합니다.

 

 

7) Solder Ball Mount

PCB와 Package를 전기적으로 연결할 수 있도록 Substrate에 Solder ball을 부착해 아웃단자를 만들어 주는 과정입니다.

 

8) Saw Singulation

Substrate를 한 개의 개별 제품으로 분리해주는 과정

 

 

패키지 테스트

 

1) DC Test & Burn-in 

DC Test는 설계 및 조립공정을 거치면서 발생된 불량을 선별하는 공정이며, Burn-in공정은 극한 조건을 가한 후 테스트를 진행함으로써 불량 가능성이 있는 제품을 사전에 검사하는 것입니다. 이 과정을 통과해야 반도체 칩이 들어가는 전자기기가 오류 없이 작동할 수 있는 신뢰성을 갖게 됩니다.

 

2) Main Test

 DC Test Burn in 을 통과한 제품들은 상온, 저온 공간에서 전기적 특성과 기능을 검사 받습니다. 특히 Main test에서는 반도체분야 국제표준인 JEDEC Spec을 맞추기 위한 까다로운 검사가 진행

 

3) Final Test 

고온에서 반도체의 전기적 특성과 기능을 검사 받는 과정