반도체 공정 - 4. 식각 공정

 

 

식각(Etching)공정이란?

 

액체 또는 기체의 부식액(etchant)을 이용해  회로의 패턴 중 필요한 부분만 남기고 불필요한 부분은 깎아내는 작업

 

건식 식각

 

건식 식각은 플라즈마(Plasma)를 이용하는 것으로 

진공 챔버(Chamber)에 가스를 주입한 후, 전기 에너지를 공급하여 플라즈마를 발생시킨다

플라즈마 상태는 이온화가 극도로 된 상태인대

이 플라즈마 상태에서 떨어져 나온 반응성 원자 (Radical Atom)가 웨이퍼 표면의 원자들과 만나 강한 휘발성을 띠면서 표면에서 분리되게 됩니다

이 과정에서 감광액 (Photo Resist)으로 보호되지 않은 막은 제거된다 

 

 

건식 식각의 유의 사항 

 

균일도 (Uniformity)

균일도(Uniformity)란 식각이 얼마나 고르게 진행됐는지를 의미합니다. 균일도가 중요한 이유는 회로의 각 부분마다 식각된 정도가 다르다면 특정 부위에서 칩이 동작하지 않을 수 있기 때문

 

식각 속도(Etch Rate)

식각 속도는 일정시간동안 막이 얼마나 제거 됐는지를 의미합니다. 플라즈마 상태의 원자와 이온의 양 또는 그 원자나 이온이 가지고 있는 에너지에 따라 식각의 빠르기가 결정됩니다. 당연히 양이 많고 에너지가 높으면 식각 속도는 증가하게 됩니다. 따라서 이러한 양과 에너지를 조절하여 식각의 알맞은 속도를 맞출 수 있는 것